現貨參數：

襯底N型<AS><100>,電阻<0.0055Ω.cm,厚度525±15um,外延層P型,電阻

1±0.05Ω.cm,厚度8±0.05um

襯底N型<AS><100>,電阻<0.0055Ω.cm,厚度525±15um,外延層P型,電阻

0.36-0.44Ω.cm,厚度4.5±0.05um

一、硅外延的定義
硅外延工藝實際上是一種薄層的單晶生長技術，它是在一定的條件下，

在硅單晶的襯底片上，沿單晶的結晶方向生長一層具有一定導電類型，

電阻率、厚度、晶格結構與體單晶一致的新單晶層。

二、硅外延生長工藝的優點
1、 生長溫度比它本身的熔點要低
2、 可以獲得純度高、缺陷少的單晶薄層
3、 由于摻雜工藝靈活，可以獲得多種結構的單晶或多層外延便于器件

參數結構的調整

三、硅外延工藝的分類
1、 按結構分類 同質外延——即外延層在結構與性質上與襯底材料相同，

例如N/N+，P/P+
          異質外延——即外延層在結構與性質上與襯底材料不同，例：

SOI(絕緣襯底上外延)
2、 按外延層的厚度和電阻率分類                 
厚度和電阻率均可按客戶要求精確控制
3、 按外延生長方法分類
直接法——不經過中間化學反應，硅原子直接從源轉移到襯底片上形成外

延層，例：真空濺射法，分子束外延（物理法）液相外延等等
間接法——通過還原或分解硅化合物得到所需要的硅原子，然后在襯底上

淀積形成外延層，我們的硅外延就屬于間接生長工藝

四、硅外延的基本原理
1、四種硅源的化學反應及其優點
表一.硅烷和氯硅烷外延
硅源 熔點（℃） 沸點（℃） 化學反應式 淀積壓力 溫度范圍 典型生長

速率um/min
SiCl4 -68 57.6 SiCl4+2H2=Si+4HCl 常壓減壓 1150-1200 0.5-1.2
SiHCl3 -127 31.8 SiHCl3+H2=Si+3HCl 常壓減壓 1100-1150 1.0-3
SiH2Cl2 -122 8.3 SiH2Cl2=SI+2HCl 常壓減壓 1050-1100 0.5-2
SiH4 -185 -112 SiH4=Si+2H2 常壓減壓 900-1000 0.1-0.5
2、硅外延的生長過程
硅的化學氣相沉積外延生長其原理是在高溫（＞1100℃）的襯底上輸送硅

的化合物（SiHCl3或SiCl4或SiH2Cl2等）利用氫（H2）在襯底上通過還原

反應析出硅的方法。
氣相外延生長過程包括：
（1）反應劑（SiCl4或SiHCl3+H2）氣體混合物質量轉移到襯底表面；
   （2）吸收反應劑分子在表面上（反應物分子穿過附面層向襯底表面遷

移）；
   （3）在表面上進行反應得到硅原子及其副產物；
   （4）釋放出副產物分子；
   （5）副產物分子向主氣流質量轉移；（排外）
   （6）硅原子先在生長層表面形成原子集團——晶核，接著加接到晶核

上，使晶核增大，形成新的晶面。