產品名稱
中文名稱: CVD氧化硅/硅基底單層二硫化鎢
英文名稱:Single Layer WS2 on SiO2/Si
性質
形態:薄膜
參數
基底:二氧化硅/硅
氧化層:300nm
基底尺寸:9 mmx9 mm
WS2片徑大?。?0-50 μm
厚度:0.6~0.8 nm
應用
該類材料缺陷少,光學性質優良,層數可控,是研究層數和熒光效應和制備器件的優異材料。