產品名稱
中文名稱: CVD氧化硅/硅基底單層二硫化鉬
英文名稱:Single Layer MoS2 on SiO2/Si
性質
形態:薄膜
參數
基底:二氧化硅/硅
基底尺寸:8 mm*6 mm
氧化層:300nm
片徑范圍:20-50 μm
厚度:0.6~0.8 nm
應用
CVD法制備的單層二硫化鉬,相比較鋰插層制備的單層二硫化鉬,該產品具有缺陷少,層數可控,優異的光學性質,是研究層數和熒光效應和制備器件的優異材料,歡迎咨詢客服。